MKP386M533100JT8 datasheet
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>> MKP386M533100JT8 薄膜电容器 MKP 386M 3.3 F 5% 1000V= datasheet 半导体模块
型号:
MKP386M533100JT8
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Roederstein
描述:
薄膜电容器 MKP 386M 3.3 F 5% 1000V=
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
半导体模块 >> 薄膜电容器
描述
薄膜电容器 MKP 386M 3.3 F 5% 1000V=
MKP386M533100JT8 PDF下载
制造商
Vishay/Roederstein
产品类型
Snubber
电介质
电容
3.3 uF
容差
5 %
电压额定值
系列
MKP386M
工作温度范围
0 C to 85 C
端接类型
Lug
引线间隔
32.3 mm
相关资料
属性
链接
代理商
MKP386M533100JT8
MKP386M550125YT4
MKP3V120G
MKP3V120RLG
MKP3V240
MKP3V240G
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
深圳市芯驰科技有限公司
18665384978
丁皓鹏
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
0754-84492320
陈先生
东莞鼎岑科技有限公司
18925581989
莫
买卖IC网詹
13610926030
詹总
MKP386M533100JT8 参考价格
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